真空腔體在半導體制造中扮演關(guān)鍵角色，為光刻、薄膜沉積、離子注入等精密工藝提供純凈、穩(wěn)定的真空環(huán)境。其加工制造涵蓋材料選擇、精密加工、表面處理等環(huán)節(jié)，當前面臨材料加工難度、密封性能控制等技術(shù)挑戰(zhàn)。

真空腔體的制作材料選擇需要綜合考慮強度、放氣率、耐腐蝕性以及特定環(huán)境適應性等因素。金屬材料中，不銹鋼憑借優(yōu)異的耐腐蝕性和低放氣率成為超高真空系統(tǒng)的*選，常用于半導體刻蝕腔體和粒子加速器；鋁合金則以輕量化和高導熱性見長，適用于衛(wèi)星推進劑儲罐等需要減輕重量的場合；鈦合金因其無磁性和耐高溫特性，多用于航空航天部件。非金屬材料方面，石英玻璃耐高溫且透光性好，適合高溫觀察窗等應用，而工業(yè)陶瓷則因其出色的電絕緣性能被廣泛用于半導體設(shè)備。復合材料如鋁碳化硅結(jié)合了金屬和陶瓷的優(yōu)點，在精密光學平臺中表現(xiàn)突出。選材時還需特別注意材料的放氣率控制和環(huán)境適應性，例如等離子體環(huán)境優(yōu)先考慮耐蝕性更好的陶瓷或鈦合金。隨著技術(shù)進步，新型特種合金和功能涂層的開發(fā)正在推動真空腔體材料向更高性能方向發(fā)展。