晶圓測(cè)試是半導(dǎo)體生產(chǎn)中必不可*的環(huán)節(jié)，主要用于驗(yàn)證芯片在裸晶階段的電氣性能。探針臺(tái)在這一過(guò)程中起到了至關(guān)重要的作用。具體應(yīng)用包括：

晶圓級(jí)功能測(cè)試：探針臺(tái)能夠通過(guò)與晶圓上的測(cè)試點(diǎn)接觸，測(cè)量每個(gè)芯片的電氣性能。測(cè)試內(nèi)容通常包括信號(hào)傳輸、電流和電壓的測(cè)量等。通過(guò)這種測(cè)試，工程師可以發(fā)現(xiàn)潛在的制造缺陷，剔除有問(wèn)題的芯片，提高整體良品率。

故障篩查：在生產(chǎn)過(guò)程中，部分芯片可能存在微小的功能性問(wèn)題，探針臺(tái)能夠迅速進(jìn)行篩查，定位問(wèn)題區(qū)域。通過(guò)反復(fù)的測(cè)試與對(duì)比，操作員可以分析出哪些芯片需要進(jìn)一步的處理，哪些芯片*全符合標(biāo)準(zhǔn)。

測(cè)試精度要求：隨著芯片集成度的提升，測(cè)試點(diǎn)的間距越來(lái)越小，要求探針臺(tái)具有更高的定位精度。現(xiàn)代探針臺(tái)通過(guò)采用高精度的機(jī)械平臺(tái)和探針控制系統(tǒng)，能夠?qū)崿F(xiàn)亞微米級(jí)別的精度，保證每次測(cè)試的準(zhǔn)確性。